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进一步分析发现,英特尔也在开发结合3D封装和2.5D封装的3.5D封装技术。英特尔代工的先进系统封装及测试(Intel Foundry ASAT)的技术组合,包括 FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB 2.5D、EMIB 3.5D、Foveros 2.5D & 3D 和 Foveros Direct 3D 等多种技术。其EMIB 技术系列在芯片互连领域取得了重要突破。2.5D 版本采用的嵌入式硅桥技术,其最小线宽 / 线距达到 10μm / 10μm,互连密度提升至 1500 个连接点 / mm²。3.5D 版本通过硅通孔 (TSV) 技术实现垂直互连,通孔直径控制在 5μm,深宽比达到 10:1,支持最多 4 层芯片的立体堆叠。
随着美国因与Anthro领域的不断深化发展,我们有理由相信,未来将涌现出更多创新成果和发展机遇。感谢您的阅读,欢迎持续关注后续报道。